功能(電壓或電流),NPLC,計(jì)數(shù),量程,分辨率數(shù)字和緩沖延遲時(shí)間。
程序輸出讀取緩沖區(qū)數(shù)據(jù)、標(biāo)準(zhǔn)偏差和均方根值。數(shù)據(jù)也將被保存到一個(gè)文件中。
這是一個(gè)用LabView 2017編寫(xiě)的示例程序。
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3系列MDO選項(xiàng)DDU包括大多數(shù)范圍選項(xiàng)(例如MSO*, AFG, SA,串行總線分析,電源分析),但不包括SEC或DVM選項(xiàng)。
注意:MSO邏輯探針P6316不包括在3系列MDO的選項(xiàng)DDU中。
縮寫(xiě)詞:任意函數(shù)發(fā)生器(AFG),數(shù)字電壓表(DVM),頻譜分析儀(SA),增強(qiáng)安全選項(xiàng)(SEC)
選項(xiàng)SA1 (1GHz)現(xiàn)在是3系列MDO的標(biāo)準(zhǔn)配置。為了啟用它,只需注冊(cè)3系列MDO,它將生成一個(gè)新密鑰來(lái)啟用SA1選項(xiàng)。
MOSFET開(kāi)關(guān)器件工作在導(dǎo)通和關(guān)斷狀態(tài)。在“開(kāi)”狀態(tài)下,開(kāi)關(guān)的阻抗理論上為零,無(wú)論流過(guò)多少電流,開(kāi)關(guān)都不會(huì)耗散功率。在“關(guān)”狀態(tài)下,開(kāi)關(guān)的阻抗理論上是無(wú)限的,因此沒(méi)有電流流過(guò),也沒(méi)有功率耗散。
漏極-源極導(dǎo)通電阻(RDS)是MOSFET處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)漏極和源極之間的有效電阻。當(dāng)施加特定的柵源電壓(VGS)時(shí),就會(huì)發(fā)生這種情況。一般來(lái)說(shuō),隨著VGS的增大,導(dǎo)通電阻減小。MOSFET導(dǎo)通電阻越低越好,因?yàn)榈碗娮铚p少了不必要的功耗,提高了器件的功率效率。
此服務(wù)將提供一個(gè)USB閃存驅(qū)動(dòng)器,其中包含升級(jí)程序文件和安裝升級(jí)的說(shuō)明。
500MHz及以下的型號(hào)也有一個(gè)原生75歐姆的輸入終端——視頻系統(tǒng)的原生阻抗。
MSO3x系列沒(méi)有75歐姆輸入
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